EPIC Powder Machinery olarak, EMC ve PCB uygulamalar\u0131 i\u00e7in elektronik s\u0131n\u0131f\u0131 erimi\u015f silika ve kuvars tozu tedarik ediyoruz. Her \u00fcretim a\u015famas\u0131nda ger\u00e7ek zamanl\u0131 lazer k\u0131r\u0131n\u0131m\u0131 izlemesi yap\u0131yoruz ve her sevkiyatta eksiksiz bir Analiz Sertifikas\u0131 sunuyoruz.<\/p>\n\n\n\n
![\"Silikon](\"http:\/\/quartz-grinding.com\/wp-content\/uploads\/2024\/12\/Silicon-dioxide.png\")
'S\u0131k\u0131 Par\u00e7ac\u0131k Boyutu Kontrol\u00fc' Pratikte Ne Anlama Geliyor?<\/h2>\n\n\n\n
Bir silika dolgu maddesinin par\u00e7ac\u0131k boyutu da\u011f\u0131l\u0131m\u0131 (PSD) en az \u00fc\u00e7 say\u0131 ile tan\u0131mlan\u0131r: D50 (ortalama boyut), D90 veya D98 (da\u011f\u0131l\u0131m\u0131n kaba ucu) ve bazen D10 (ince u\u00e7). Her say\u0131, form\u00fclasyonunuzun davran\u0131\u015f\u0131n\u0131n farkl\u0131 bir y\u00f6n\u00fcn\u00fc kontrol eder.<\/p>\n\n\n\n En s\u0131k yanl\u0131\u015f belirtilen parametre Dmax't\u0131r; yani mutlak maksimum par\u00e7ac\u0131k boyutudur. D90 ve D98 istatistiksel \u00f6l\u00e7\u00fcmlerdir; par\u00e7ac\u0131klar\u0131n 90% veya 98%'si hakk\u0131nda bilgi verirler, ancak daha b\u00fcy\u00fck olan kalan 2% hakk\u0131nda hi\u00e7bir \u015fey s\u00f6ylemezler. EMC ve PCB uygulamalar\u0131 i\u00e7in, ar\u0131zalar\u0131n kayna\u011f\u0131 bu 2%'dir. D98 = 18 mikron olan bir silika dolgu maddesi, Dmax ayr\u0131 olarak belirtilmez ve kontrol edilmezse, 50-80 mikron boyutunda par\u00e7ac\u0131klar i\u00e7erebilir. D98 ve Dmax'\u0131 ayr\u0131 say\u0131lar olarak belirtmek bu a\u00e7\u0131\u011f\u0131 kapat\u0131r.<\/p>\n\n\n\n Bir silika dolgu maddesi \u00e7ok fazla ultra ince par\u00e7ac\u0131k i\u00e7erdi\u011finde \u2014 D10 0,3 mikronun alt\u0131nda veya da\u011f\u0131l\u0131mda uzun ince bir kuyruk oldu\u011funda \u2014 dolgu maddesinin toplam y\u00fczey alan\u0131 keskin bir \u015fekilde artar. Re\u00e7ine, dolgu maddesi y\u00fczeylerini \u0131slat\u0131r, bu nedenle daha y\u00fcksek y\u00fczey alan\u0131, par\u00e7ac\u0131klar\u0131 ask\u0131da tutmak ve ya\u011flamak i\u00e7in daha fazla re\u00e7ine t\u00fcketilmesi anlam\u0131na gelir. Sonu\u00e7, ciddi olabilen bir viskozite art\u0131\u015f\u0131d\u0131r: ayn\u0131 y\u00fcklemede D10'un 1 mikrondan 0,3 mikrona kaymas\u0131, EMC bile\u015fi\u011finin viskozitesini 40-60% art\u0131rabilir.<\/p>\n\n\n\n Standart transfer kal\u0131plama s\u0131cakl\u0131klar\u0131nda, bu daha y\u00fcksek viskozite, bile\u015fi\u011fin jelle\u015fmeye ba\u015flamadan \u00f6nce ince aral\u0131kl\u0131 kal\u0131p bo\u015fluklar\u0131na tam olarak n\u00fcfuz edememesi anlam\u0131na gelir. Sonu\u00e7, bitmi\u015f ambalajda bo\u015fluklar bulunan eksik dolum (k\u0131sa kal\u0131plama) olur. Silika par\u00e7ac\u0131k boyutu da\u011f\u0131l\u0131m\u0131n\u0131n ince kuyru\u011funu kontrol etmemi\u015f EMC hatlar\u0131nda 5-15%'nin k\u0131sa kal\u0131plama oranlar\u0131 yayg\u0131nd\u0131r.<\/p>\n\n\n\n \u00c7\u00f6z\u00fcm, D10'u kontrol etmek ve ince tanecik fraksiyonuna (1 mikronun alt\u0131ndaki malzeme y\u00fczdesi) bir \u00fcst s\u0131n\u0131r koymakt\u0131r. Bu, ya \u00fcr\u00fcnden ultra ince tanecikleri ay\u0131ran \u00e7ok a\u015famal\u0131 bir s\u0131n\u0131fland\u0131rma i\u015flemi ya da bunlar\u0131n olu\u015fmas\u0131n\u0131 ba\u015ftan \u00f6nleyen bir \u00f6\u011f\u00fctme i\u015flemi gerektirir.<\/p>\n\n\n\n Kaba u\u00e7ta, a\u015f\u0131r\u0131 b\u00fcy\u00fck par\u00e7ac\u0131klar iki farkl\u0131 ar\u0131za moduna neden olur. Birincisi tel kaymas\u0131d\u0131r: transfer kal\u0131plama s\u0131ras\u0131nda, akan EMC bile\u015fi\u011fi, kal\u0131b\u0131 paket alt tabakas\u0131na ba\u011flayan ince tel ba\u011flar\u0131na hidrolik kuvvet uygular. B\u00fcy\u00fck, sert bir silika par\u00e7ac\u0131\u011f\u0131 (\u00f6rne\u011fin, D90 = 30 mikron i\u00e7in belirtilen bir bile\u015fikte 80 mikron), bile\u015fik akarken 20 mikronluk bir alt\u0131n tel ba\u011f\u0131n\u0131 fiziksel olarak sapt\u0131rabilir. Tel \u00e7ap\u0131n\u0131n 5-10%'nin \u00fczerinde olmas\u0131 g\u00fcvenilirlik ar\u0131zas\u0131d\u0131r.<\/p>\n\n\n\n \u0130kinci ar\u0131za modu ise tabaka ayr\u0131lmas\u0131d\u0131r. B\u00fcy\u00fck par\u00e7ac\u0131klar, k\u00fcrlenmi\u015f kompozitte gerilimi yo\u011funla\u015ft\u0131r\u0131r; paket termal d\u00f6ng\u00fcye maruz kald\u0131\u011f\u0131nda (\u00f6rne\u011fin, otomotiv yeterlilik testlerinde -55 ila +125 santigrat derece aras\u0131nda), b\u00fcy\u00fck par\u00e7ac\u0131klar\u0131n etraf\u0131ndaki gerilim yo\u011funla\u015fmalar\u0131, re\u00e7ine-dolgu maddesi aray\u00fcz\u00fcn\u00fcn yap\u0131\u015fma dayan\u0131m\u0131n\u0131 a\u015far. Bu par\u00e7ac\u0131klarda \u00e7atlaklar olu\u015fur ve yay\u0131l\u0131r, sonunda EMC ile kal\u0131p ba\u011flant\u0131s\u0131 veya alt tabaka aras\u0131nda tabaka ayr\u0131lmas\u0131na neden olur.<\/p>\n\n\n\n Her iki ar\u0131za da, sadece D90 veya D98 de\u011fil, kat\u0131 Dmax kontrol\u00fc ile \u00f6nlenir. Do\u011fru a\u00e7\u0131kl\u0131\u011fa sahip titre\u015fimli bir elek ve hedef Dmax'\u0131n \u00fczerindeki t\u00fcm malzemeleri uzakla\u015ft\u0131ran bir hava s\u0131n\u0131fland\u0131rma ad\u0131m\u0131, gerekli kat\u0131 \u00fcst s\u0131n\u0131r\u0131 sa\u011flar.<\/p>\n\n\n\n Silikonun termal genle\u015fme katsay\u0131s\u0131 (CTE) yakla\u015f\u0131k olarak santigrat derece ba\u015f\u0131na 3 ppm'dir. FR-4 cam-epoksi PCB alt tabakas\u0131n\u0131n CTE'si ise santigrat derece ba\u015f\u0131na yakla\u015f\u0131k 14-17 ppm'dir. PCB laminat\u0131ndaki silika dolgu maddesinin amac\u0131 bu fark\u0131 kapatmakt\u0131r; dolgu maddesi, kompozitin CTE'sini silikon de\u011ferine do\u011fru d\u00fc\u015f\u00fcrerek, termal d\u00f6ng\u00fc s\u0131ras\u0131nda lehim ba\u011flant\u0131lar\u0131 \u00fczerindeki gerilimi azalt\u0131r.<\/p>\n\n\n\n Bu CTE azalmas\u0131, dolgu maddesi y\u00fcklemesiyle orant\u0131l\u0131d\u0131r. Daha y\u00fcksek y\u00fckleme = daha d\u00fc\u015f\u00fck kompozit CTE = silikona daha iyi CTE uyumu = daha uzun lehim ba\u011flant\u0131 \u00f6mr\u00fc. Ancak y\u00fcksek y\u00fckleme yaln\u0131zca PSD buna izin veriyorsa i\u015fe yarar. Geni\u015f, k\u00f6t\u00fc kontrol edilen bir PSD, verimsiz par\u00e7ac\u0131k paketlemesine neden olur; daha b\u00fcy\u00fck par\u00e7ac\u0131klar, boyut oran\u0131 yanl\u0131\u015f oldu\u011fu i\u00e7in daha k\u00fc\u00e7\u00fck par\u00e7ac\u0131klar taraf\u0131ndan doldurulamayan bo\u015fluklar olu\u015fturur. Elde edilebilecek maksimum y\u00fckleme, 85-90%'den (dar bimodal PSD) 65-75%'ye (geni\u015f kontrols\u00fcz PSD) d\u00fc\u015fer ve buna kar\u015f\u0131l\u0131k gelen bir CTE azalmas\u0131 kayb\u0131 ya\u015fan\u0131r.<\/p>\n\n\n\n Sonu\u00e7 olarak, tasarlanandan daha y\u00fcksek CTE'ye sahip bir PCB laminat\u0131 elde edilir; bu da lehimleme s\u0131ras\u0131nda b\u00fck\u00fclme (paketlerde 'patlam\u0131\u015f m\u0131s\u0131r etkisi', \u00e7\u0131plak PCB'lerde kart e\u011filmesi) ve saha kullan\u0131m\u0131nda lehim ba\u011flant\u0131lar\u0131nda erken yorulma olarak kendini g\u00f6sterir.<\/p>\n\n\n\n Yukar\u0131da belirtilen PSD spesifikasyonlar\u0131na ula\u015fmak ve bunlar\u0131 korumak, \u00fcretim s\u00fcrecinin d\u00f6rt a\u015famas\u0131nda kontrol gerektirir. Her a\u015fama bir g\u00fcvence katman\u0131 ekler; bunlar\u0131n hi\u00e7biri tek ba\u015f\u0131na yeterli de\u011fildir.<\/p>\n\n\n\n Ergitilmi\u015f silika hammaddesinin kalitesi, sonraki i\u015flemlerde elde edilebilecek sonu\u00e7lar\u0131 belirler. Hammaddenin yo\u011funlu\u011fu, nem i\u00e7eri\u011fi veya safs\u0131zl\u0131k seviyesindeki tutars\u0131zl\u0131klar, i\u015fleme ekipman\u0131n\u0131n optimum parametrelerinin d\u0131\u015f\u0131nda \u00e7al\u0131\u015fmas\u0131na neden olarak \u00e7\u0131kt\u0131 par\u00e7ac\u0131k boyutu da\u011f\u0131l\u0131m\u0131n\u0131 (PSD) geni\u015fletir. \u00dcretim s\u00fcrecine girmeden \u00f6nce, gelen t\u00fcm ergitilmi\u015f silika hammaddesi SiO2 safl\u0131\u011f\u0131 (elektronik s\u0131n\u0131f\u0131 i\u00e7in hedef ,7%'nin \u00fczerinde), y\u0131\u011f\u0131n yo\u011funlu\u011fu ve \u00f6n \u00f6\u011f\u00fctme PSD'si a\u00e7\u0131s\u0131ndan test edilmelidir.<\/p>\n\n\n\n Elektronik s\u0131n\u0131f\u0131 silika i\u00e7in, kapal\u0131 devre \u00f6\u011f\u00fctme standartt\u0131r. De\u011firmen ve s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131 s\u00fcrekli bir d\u00f6ng\u00fcde \u00e7al\u0131\u015f\u0131r: de\u011firmen par\u00e7ac\u0131k boyutunu k\u00fc\u00e7\u00fclt\u00fcr, s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131 par\u00e7ac\u0131klar\u0131 hemen ince (spesifikasyona uygun, devreden \u00e7\u0131kar) ve kaba (reddedilen, de\u011firmene geri g\u00f6nderilen) olarak ay\u0131r\u0131r. Bu, zaten ince olan par\u00e7ac\u0131klar\u0131n a\u015f\u0131r\u0131 \u00f6\u011f\u00fct\u00fclmesini \u00f6nler ve \u00fcr\u00fcn ak\u0131\u015f\u0131nda yaln\u0131zca boyut spesifikasyonuna uygun malzemenin birikmesini sa\u011flar.<\/p>\n\n\n\n Jet \u00f6\u011f\u00fctme, metal kirlenmesi olmadan boyut k\u00fc\u00e7\u00fcltme i\u00e7in y\u00fcksek enerji girdisi sa\u011flad\u0131\u011f\u0131 i\u00e7in genellikle en ince taneli malzemeler (D50 5 mikronun alt\u0131nda) i\u00e7in kullan\u0131l\u0131r; bas\u0131n\u00e7l\u0131 hava \u00f6\u011f\u00fctme prensibi, \u00f6\u011f\u00fctme y\u00fczeylerinin \u00fcr\u00fcnle temas etmemesi anlam\u0131na gelir. Daha kaba taneli malzemeler (D50 5-15 mikron) i\u00e7in, hava s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131 ile kapal\u0131 devrede \u00e7al\u0131\u015fan bilyal\u0131 de\u011firmen veya halkal\u0131 silindirli de\u011firmen daha enerji verimlidir.<\/p>\n\n\n\n Tek bir s\u0131n\u0131fland\u0131rma a\u015famas\u0131, ince taneli malzemeyi kaba taneli malzemeden ay\u0131r\u0131r ancak keskin bir basamak fonksiyonu yerine kademeli bir ge\u00e7i\u015f b\u00f6lgesi olu\u015fturur. Dmax'\u0131n kesin olarak s\u0131n\u0131rland\u0131r\u0131lmas\u0131 gereken elektronik s\u0131n\u0131f\u0131 silika i\u00e7in \u00e7ok a\u015famal\u0131 s\u0131n\u0131fland\u0131rma gereklidir: birincil s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131 D50'yi belirler ve ikincil s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131 \u00f6zellikle kaba taneli malzemeyi hedefleyerek Dmax e\u015fi\u011finin \u00fczerindeki malzemeyi y\u00fcksek verimlilikle uzakla\u015ft\u0131r\u0131r.<\/p>\n\n\n\n Yatay hava s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131lar\u0131, dikey tasar\u0131mlara g\u00f6re daha keskin bir ay\u0131rma sa\u011flar \u00e7\u00fcnk\u00fc yatay ak\u0131\u015f alan\u0131ndaki par\u00e7ac\u0131k y\u00f6r\u00fcngesi, daha b\u00fcy\u00fck par\u00e7ac\u0131klar\u0131n yer\u00e7ekimiyle \u00e7\u00f6kelmesinden daha az etkilenir. Geli\u015fmi\u015f EMC i\u00e7in gerekli olan 15 mikronun alt\u0131ndaki D98 spesifikasyonlar\u0131 i\u00e7in yatay s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131 geometrisi standart tercihtir.<\/p>\n\n\n\n \u00dcretim s\u00fcreci boyunca, sadece parti ba\u015flang\u0131c\u0131nda de\u011fil, \u00e7\u0131kt\u0131 PSD'si s\u00fcrekli olarak do\u011frulanmal\u0131d\u0131r. Hat i\u00e7i lazer k\u0131r\u0131n\u0131m sens\u00f6rleri, \u00fcr\u00fcn ak\u0131\u015f\u0131n\u0131 her 30-60 saniyede bir \u00f6l\u00e7er. E\u011fer D50 hedef de\u011ferden 5%'den fazla saparsa veya D98 yukar\u0131 y\u00f6nl\u00fc bir e\u011filim g\u00f6sterirse, sistem operat\u00f6r\u00fc s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131c\u0131 parametre ayarlamas\u0131 i\u00e7in hemen uyar\u0131r.<\/p>\n\n\n\n Bu s\u00fcrekli izleme, bir \u00fcretim serisinin ilk torbas\u0131 ile son torbas\u0131n\u0131n ayn\u0131 par\u00e7ac\u0131k boyutu da\u011f\u0131l\u0131m\u0131na (PSD) sahip olmas\u0131n\u0131 garanti etmenin tek yoludur. \u00dcretimden 4-8 saat sonra tek bir numune kontrol etmek olan parti sonu \u00f6rneklemesi, uzun \u00fcretim serilerinde \u00f6nemli olabilen parti i\u00e7i varyasyonu g\u00f6zden ka\u00e7\u0131r\u0131r.<\/p>\n\n\n\n Aradaki fark, dolgu maddesinin re\u00e7ine sistemindeki davran\u0131\u015f bi\u00e7imi a\u00e7\u0131s\u0131ndan temeldir. K\u00fcresel silika par\u00e7ac\u0131klar\u0131, bile\u015fikte bilyal\u0131 rulmanlar gibi davran\u0131r; birbirlerinin \u00fczerinden serbest\u00e7e d\u00f6nerler ve bu da viskozitenin i\u015flenemez hale gelmeden y\u00fcksek dolgu maddesi y\u00fcklemesine (a\u011f\u0131rl\u0131k\u00e7a -90%'ye kadar) olanak tan\u0131r. Bu y\u00fcksek y\u00fckleme, silikonla e\u015fle\u015fmek i\u00e7in gereken CTE azalmas\u0131n\u0131 sa\u011flar. <\/p>\n\n\n\n K\u00fcresel silika, alevle k\u00fcreselle\u015ftirme veya sol-jel sentezi ile \u00fcretilir ve k\u00f6\u015feli silikadan daha pahal\u0131d\u0131r. K\u00f6\u015feli silika, ezme ve \u00f6\u011f\u00fctme ile \u00fcretilir ve d\u00fczensiz, p\u00fcr\u00fczl\u00fc \u015fekiller olu\u015fturur. K\u00fcrlenmi\u015f kompozitteki k\u00f6\u015feli par\u00e7ac\u0131klar\u0131n birbirine kenetlenmesi, dolgu maddesi ile re\u00e7ine aras\u0131ndaki mekanik yap\u0131\u015fmay\u0131 iyile\u015ftirir, bu da e\u011filme dayan\u0131m\u0131n\u0131 ve \u00e7atlama direncini art\u0131r\u0131r. Dezavantaj\u0131 ise ayn\u0131 y\u00fcklemede \u00f6nemli \u00f6l\u00e7\u00fcde daha y\u00fcksek viskozitedir, bu da ne kadar dolgu maddesi ekleyebilece\u011finizi s\u0131n\u0131rlar. CTE kontrol\u00fcn\u00fcn \u00f6ncelikli oldu\u011fu \u00e7o\u011fu modern EMC uygulamas\u0131nda, k\u00fcresel silika varsay\u0131lan se\u00e7imdir. Mekanik dayan\u0131m veya daha d\u00fc\u015f\u00fck maliyetin birincil etken oldu\u011fu durumlarda k\u00f6\u015feli silika kullan\u0131l\u0131r.<\/p>\n\n\n\n PCB laminat\u0131n\u0131n dielektrik sabiti, bile\u015fenlerinin Dk de\u011ferlerinin hacim a\u011f\u0131rl\u0131kl\u0131 ortalamas\u0131d\u0131r. Epoksi re\u00e7ine (Dk yakla\u015f\u0131k 4,0), silika dolgu maddesi (erimi\u015f silika i\u00e7in Dk yakla\u015f\u0131k 3,8) ve herhangi bir bo\u015fluk veya hava cebi (Dk = 1,0). Hava cepleri en \u00f6nemli de\u011fi\u015fkendir. Silika dolgu maddesinin par\u00e7ac\u0131k boyutu da\u011f\u0131l\u0131m\u0131 (PSD) geni\u015f veya k\u00f6t\u00fc kontrol edildi\u011finde, par\u00e7ac\u0131k paketleme verimsiz olur ve re\u00e7ine-dolgu maddesi aray\u00fcz\u00fcnde bo\u015fluklar olu\u015fur. Bu bo\u015fluklar, kompozit Dk de\u011ferini tasarlanan de\u011ferin alt\u0131na d\u00fc\u015f\u00fcr\u00fcr ve en \u00f6nemlisi, parti baz\u0131nda Dk varyasyonuna neden olur. Bunun nedeni, bo\u015fluk oran\u0131n\u0131n her partide de\u011fi\u015fmesidir. S\u0131k\u0131 PSD kontrol\u00fc - \u00f6zellikle, par\u00e7ac\u0131k paketleme yo\u011funlu\u011funun tutarl\u0131 olmas\u0131 i\u00e7in aral\u0131k de\u011ferinin kontrol edilmesi - bo\u015fluk olu\u015fumunu en aza indirir ve Dk'y\u0131 parti baz\u0131nda stabilize eder. 28 GHz ve \u00fczeri 5G mmWave uygulamalar\u0131 i\u00e7in, +\/- 0,05'ten fazla Dk varyasyonu, anten elemanlar\u0131n\u0131n ayar\u0131n\u0131 bozmaya ve elektriksel spesifikasyonu kar\u015f\u0131lamamaya yeterlidir.<\/p>\n\n\n\nPSD Parametresi<\/strong><\/td> Neyi \u00d6l\u00e7\u00fcyor?<\/strong><\/td> EMC\/PCB'de Neleri Kontrol Eder?<\/strong><\/td> Tipik Hedef Aral\u0131\u011f\u0131<\/strong><\/td><\/tr> D10<\/td> 10% par\u00e7ac\u0131\u011f\u0131n boyutu bu boyuttan daha k\u00fc\u00e7\u00fckt\u00fcr.<\/td> Minimum dolgu boyutu \u2014 fazla ince taneler y\u00fczey alan\u0131n\u0131 art\u0131r\u0131r ve viskoziteyi y\u00fckseltir.<\/td> 0,5 \u2013 2 mikron (uygulamaya ba\u011fl\u0131)<\/td><\/tr> D50<\/td> Ortalama par\u00e7ac\u0131k boyutu<\/td> Paketleme yo\u011funlu\u011fu ve temel viskozite<\/td> Standart EMC i\u00e7in 3 \u2013 10 mikron; geli\u015fmi\u015f paketler i\u00e7in 1 \u2013 5 mikron.<\/td><\/tr> D90<\/td> 90% par\u00e7ac\u0131klar\u0131 bundan daha incedir.<\/td> Orta d\u00fczeyde kaba fraksiyon kontrol\u00fc<\/td> Kal\u0131p geometrisine ba\u011fl\u0131 olarak 15 \u2013 30 mikron<\/td><\/tr> D98 \/ D99<\/td> 98-99% par\u00e7ac\u0131k say\u0131s\u0131 bundan daha incedir.<\/td> Maksimuma yak\u0131n par\u00e7ac\u0131k boyutu \u2014 \u00f6l\u00fcmc\u00fcl par\u00e7ac\u0131k kontrol\u00fc<\/td> Standart olarak 20 mikronun alt\u0131nda; geli\u015fmi\u015f paketler i\u00e7in 10 mikronun alt\u0131nda.<\/td><\/tr> Dmax \/ D100<\/td> Mevcut mutlak maksimum par\u00e7ac\u0131k boyutu<\/td> \u00dcst s\u0131n\u0131r \u2014 bu de\u011ferin \u00fczerinde par\u00e7ac\u0131k yok<\/td> 45 mikronun alt\u0131 standart; 25 mikronun alt\u0131 ince aral\u0131kl\u0131; 15 mikronun alt\u0131 ultra ince<\/td><\/tr> Aral\u0131k = (D90-D10)\/D50<\/td> Da\u011f\u0131t\u0131m\u0131n geni\u015fli\u011fi<\/td> Da\u011f\u0131t\u0131m homojenli\u011fi \u2014 daha d\u00fc\u015f\u00fck aral\u0131k = daha s\u0131k\u0131 da\u011f\u0131t\u0131m<\/td> Standart EMC i\u00e7in 2,0'\u0131n alt\u0131nda; y\u00fcksek yo\u011funluklu paketleme i\u00e7in 1,2'nin alt\u0131nda.<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n K\u00f6t\u00fc PSD kontrol\u00fcn\u00fcn yol a\u00e7t\u0131\u011f\u0131 \u00fc\u00e7 ar\u0131za modu<\/h2>\n\n\n\n
1. Viskozite Art\u0131\u015flar\u0131 ve K\u0131sa At\u0131\u015flar (\u0130nce Toz Sorunu)<\/h3>\n\n\n\n
2. Tel S\u00fcp\u00fcrmesi ve Katman Ayr\u0131lmas\u0131 (Kaba Par\u00e7ac\u0131k Problemi)<\/h3>\n\n\n\n
3. CTE Uyumsuzlu\u011fu ve PCB \u00c7arp\u0131lmas\u0131 (Tekd\u00fczelik Sorunu)<\/h3>\n\n\n\n
H\u0131zl\u0131 Teknik \u00d6zellik Referans\u0131: Uygulama Standard\u0131 EMC'ye G\u00f6re Silika Dolgu Maddesi Par\u00e7ac\u0131k Boyutu Da\u011f\u0131l\u0131m\u0131 (QFP, SOP paketleri): <\/strong>
D50: 5-10 mikron | D98: <25 mikron | Dmax: <45 mikron | Y\u00fckleme: 70-80%
\u0130nce aral\u0131kl\u0131 EMC (BGA, flip-chip): <\/strong>D50: 3-6 mikron | D98: <15 mikron | Dmax: <25 mikron | Y\u00fckleme: 75-85%
Ultra ince EMC (geli\u015fmi\u015f gofret seviyesi paketleme): <\/strong>D50: 1-3 mikron | D98: <8 mikron | Dmax: <12 mikron | Y\u00fckleme: 90%'ye kadar
PCB laminat dolgu maddesi (standart FR-4 yerine): <\/strong>D50: 5-15 mikron | D90: <35 mikron | Dmax: <50 mikron | Y\u00fckleme: 60-75%
Glob top kaps\u00fclleyici: <\/strong>D50: 3-8 mikron | D98: <20 mikron | Viskozite kararl\u0131l\u0131\u011f\u0131 i\u00e7in dar aral\u0131k (<1,5) kritiktir
Not: <\/strong>\u00d6zellikler, ambalaj tasar\u0131m\u0131na, tel ba\u011flama aral\u0131\u011f\u0131na ve re\u00e7ine sistemine g\u00f6re de\u011fi\u015fiklik g\u00f6sterir. Form\u00fclasyon ekibinizle teyit edin.<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\nErimi\u015f Silika \u00dcretiminde S\u0131k\u0131 PSD Nas\u0131l Elde Edilir?<\/h2>\n\n\n\n
1. Hammadde Kontrol\u00fc<\/strong><\/strong><\/h3>\n\n\n\n
2. Hassas Frezeleme \u2014 Kapal\u0131 Devre Ta\u015flama<\/strong><\/strong><\/h3>\n\n\n\n
3. \u00c7ok A\u015famal\u0131 Hava S\u0131n\u0131fland\u0131rmas\u0131<\/strong><\/strong><\/h3>\n\n\n\n
4. Ger\u00e7ek Zamanl\u0131 Lazer K\u0131r\u0131n\u0131m\u0131 \u0130zleme<\/strong><\/strong><\/h3>\n\n\n\n
S\u0131k\u00e7a Sorulan Sorular<\/strong><\/h2>\n\n\n\n
EMC ve PCB dolgu maddeleri i\u00e7in a\u00e7\u0131l\u0131 ve k\u00fcresel silika aras\u0131ndaki fark nedir?<\/h3>\n\n\n\n
Silika dolgu maddesinin par\u00e7ac\u0131k boyutu da\u011f\u0131l\u0131m\u0131 (PSD), PCB laminatlar\u0131nda dielektrik sabiti (Dk) \u00fczerinde nas\u0131l bir etkiye sahiptir?<\/h3>\n\n\n\n
Epik Toz<\/mark><\/h2>\n\n\n\n
![\"Bay](\"http:\/\/quartz-grinding.com\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/Mr-Wang.webp\")
<\/figure>\n\n\n\n